CY15B102QSN/CY15V102QSN，Excelon-Ultra 2-Mbit (256K × 8) Quad SPI F-RAM

功能说明

Excelon-Ultra CY15X102QSN 采用了高级铁电工艺的高性能 2Mbit 非易失性存储器。铁电随机存取存储器 （即 F-RAM）与RAM 相同，是执行读和写操作的易失性存储器。它提供 151 年的可靠数据保留时间，并解决了由串行闪存和其他非易失性存储器造成的复杂性、开销和系统级可靠性的问题。与串行闪存不同的是，CY15X102QSN 以总线速度执行写操作。并且不引起写操作的延迟。在每个字节成功传输到器件后，数据立即被写入到存储器阵列内。这时，可以开始执行下一个总线周期而不需要轮询数据。此外，与其他非易失性存储器相比，该产品提供了更多的擦写次数。 CY15X102QSN 能够提供 1014 次的读 / 写周期，或支持比 EEPROM 多 1 亿次的写周期。由于具有这些特性，因此 CY15x104QSN 非常适用于需要频繁或快速写操作的非易失性存储器应用。示例的范围包括从数据收集（其中写周期数量是非常重要的）到满足工业级控制（其中串行 Flash 的较长写时间会使数据丢失）。

CY15X102QSN 将 2 Mbit F-RAM 与高速度四线 SPI（QPI）SDR和 DDR 接口相结合，从而增强 F-RAM 技术的非易失性写入功能。该器件包含一个只读的器件 ID 和唯一 ID 特性，通过它们，SPI 总线主设备可以确定器件的制造商、产品容量、产品版本和唯一 ID。该器件包含一个唯一只读序列号，可用来识别某个电路板或系统。该器件支持片上 ECC 逻辑，可以在每个 8 字节数据单元内检测和纠正单比特错误。该器件还包含在 8 字节数据单元中提供双比特错误报告的扩展功能。 CY15X102QSN 还支持循环冗余校验（CRC），可用来校验存储器阵列中所存储数据的完整性。

特性

■ 2 Mbit 铁电随机存取存储器（F-RAM）被逻辑组织为 256K × 8

❐ 提供了 100 万亿次（1014）的读 / 写周期，几乎为无限次数的耐久性。

❐ 151 年数据保留时间 （见数据保留时间与耐久性 on page 74）

❐ NoDelay™ 写操作

❐ 高级高可靠性的铁电工艺

■ 单和多 I/O SPI

❐ 串行总线接口 SPI 协议

❐ 支持 SPI 模式 0 （0， 0）和模式 3 （1， 1），适用于所有SDR 模式转换

❐ 支持 SPI 模式 0 （0， 0），适用于所有 DDR 模式转换

❐ 扩展型 I/O SPI 协议

❐ 双线 SPI （DPI）协议

❐ 四线 SPI （QPI）协议

■ SPI 时钟频率

❐ 频率高达 108MHz 的 SPI SDR

❐ 高达 54MHz 频率的 SPI DDR

■ 芯片内执行 （XIP）模式下的存储器读 / 写操作

■ 写入保护，数据安全性，数据完整性

■ 使用写保护 （WP）引脚提供硬件保护

■ 软件模块保护

■ 嵌入式 ECC 和 CRC 增强了数据完整性

❐ 检测并纠正但比特错误的 ECC。在发生双比特错误时，它将不纠正错误，但将通过 ECC 状态寄存器进行错误报告

❐ CRC 将检测原始数据的任意意外更改

■ 扩展的电子签名

❐ 器件 ID 包含制造商 ID 和产品 ID

❐ 唯一 ID

❐ 用户可编程序列号。

■ 专用 256 字节特殊扇区 F-RAM

❐ 专用特殊扇区写和读操作

❐ 内容可以在最多 3 个标准回流焊周期内保持不变

■ 高速度，低功耗

❐ SPI SDR 频率为 108 MHz 时，有效电流为 10 mA（典型值）

❐ QSPI SDR 频率为 108 MHz 并且 QSPI DDR 频率为 54 MHz时，有效电流为 16 mA （典型值）

❐ 待机电流为 110 µA （典型值）

❐ 深度掉电模式电流为 0.80 µA （典型值）

❐ 休眠模式电流为 0.1 µA （典型值）

■ 低电压操作：

❐ CY15V102QSN: VDD = 1.71 V 到 1.89 V

❐ CY15B102QSN: VDD = 1.8 V 到 3.6 V

■ 工作温度范围：–40 °C 到 +85 °C

■ 8 pin 小型塑封集成电路 （SOIC）封装

■ 符合有害物质限制标准 （RoHS）

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